本项发明涉及化学气相沉积技术,介绍了一种新型的固态源等离子体增强化学气相沉积(CVD)设备及其应用方法。该设备由加热装置和固态源蒸发器组成,加热装置位于真空腔室外壁,与固态源蒸发器相对应,旨在提高沉积效率和材料质量。
背景技术
传统化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)是一种利用气体在表面化学反应生成固体薄膜的技术,其基本原理是通过化学反应将气态前驱体转化为固态沉积物,在衬底表面沉积成固体薄膜,其反应机理涉及气相反应、热力学平衡和传质过程等。
传统化学气相沉积法中只能使用气相反应前驱体,这大大限制了可沉积材料的范围,且气相前驱体材料大部分价格昂贵,还具有不同程度的危险性,同时会产生副产物,副产物可能会发生逆向反应或其他副反应影响沉积薄膜质量,副产物也具有危险性和环境污染。
实现思路