本技术涉及图像分析技术在氧化镓晶体生产中的应用,旨在通过分析生长异常和切割机运行数据,优化氧化镓晶体的切割速度,以提高产品质量。
背景技术
氧化镓(Ga2O3)晶体是一种具有独特物理和化学特性的半导体材料,它在电子和光电子领域有着重要的应用,氧化镓具有非常宽的能隙,大约在4.9到5.2电子伏特之间。这种宽能隙使得氧化镓晶体能够在深紫外和可见光范围内具有良好的透明度,并能够在高能电子器件中提供良好的绝缘性能,氧化镓具有很高的热稳定性和击穿电场强度,使其非常适合用于高温和高压环境下的电力电子器件,如电力转换器、变频器和新能源汽车中的逆变器,总的来说,氧化镓晶体由于其独特的物理和化学性质,在半导体和光电子行业中有着广泛的应用前景。随着技术的不断进步和制造工艺的优化,氧化镓器件的性能和应用范围有望进一步扩大;
在氧化镓晶体生长后,需要使用专门的切割设备对氧化镓晶体进行切割,对其质量进行调控,在进行氧化镓晶体切割过程中,现有技术无法对氧化镓晶体质量进行准确的生长评估,进而无法综合氧化镓晶体质量分析结果和切割机运行分析结果对氧化镓切割速度进行准确预估,进而导致切割速度不匹配引起氧化镓晶体损伤,进而导致切割过程中的质量和安全性较低,现有技术中大多存在上述问题;
例如在申请公开号为CN117593267A的中国专利中一种多晶体的准原位分析方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:对第n个所述目标晶体,获取原始形貌图像并执行拉伸操作直至所述目标晶体的应变量达到预设应变量或者所述目标晶体断裂。对于第n个所述目标晶体,获取第n个所述目标晶体的层数;依据所述层数、所述原始形貌图像以及所述拉伸图像进行图像分析以得到第n个所述目标晶体的层级多晶体变形协调机理,并综合n个所述目标晶体的层级多晶体变形协调机理得到多晶体材料的多晶体变形协调机理,从而能可靠准确分析清楚多晶体材料性能;
以上专利均存在本背景技术提出的问题,为了解决本背景技术提出的问题,本申请设计了基于图像分析的氧化镓晶体生产质量调控系统及方法。
实现思路