本技术介绍了一种具有低寄生电感和高功率密度的功率模块,配备双面散热功能。该模块通过优化功率铜面与端子的交叠布局设计,有效降低了DC+和DC-节点间的寄生电感,提升了功率传输效率。
背景技术
功率模块在电动汽车、牵引机车等电力电子应用领域有着广泛的应用。然而,传统的硅基功率模块逐渐无法满足大功率应用对高温和高功率密度的需求。与之相比,碳化硅(SiC)功率模块以其卓越的高频、高压和高温性能,正引起越来越多的关注,尤其是在电动汽车等领域。
然而,目前大多数碳化硅功率模块仍然采用传统硅基模块的封装技术,因此未能充分发挥碳化硅功率器件的卓越特性。其中,寄生电感问题是碳化硅模块封装的一个关键挑战。寄生电感不仅可能引发功率器件关断电压尖峰和电磁兼容问题,还会增加功率模块的开关损耗,降低其可靠性,甚至导致模块失效。为了充分发挥碳化硅功率器件的优点,亟需开发低寄生电感高功率密度的封装集成技术,以更好地适应碳化硅功率器件的性能和应用需求。
实现思路