本实用新型介绍了一种专用于硅碳负极材料生产的气相沉积系统,该系统由外环管和内置节流阀控制器组成。节流阀控制器位于外环管内侧,外环管内侧设有环形切口,与环形切口相对应的结构设计,旨在提高生产效率和材料质量。
背景技术
气相沉积技术简称CVD,是一种利用气态物质在一定温度下于固体表面进行化学反应,并在其表面上生成固态沉积膜的过程。硅碳负极材料在锂离子电池中具有高容量、高能量密度的优点,但由于硅在充放电过程中体积膨胀较大,影响循环稳定性,因此需要开发高性能的硅碳复合材料。其中,气相沉积则是制备高质量硅碳负极材料的关键技术。
专利CN216192697U公开了一种气相沉积设备,其利用进气总管将冷气输向各个分气管,然后利用分气管将冷气输向各个分支管道以及对应的导流管,最后利用导流管将冷气持续且均匀的喷向节流阀控制器,使节流阀控制器的各部位温度保持一致,从而保证节流阀控制器的通信正常。
在上述专利的技术方案中,通过进气总管将冷气多级分配至每个对应的导流管上,使得节流阀控制器受到的冷却效果更加均匀,然而,由于导流管的位置为固定状态,因此在通过导流管将冷气喷向节流阀控制器的过程中,仍会有冷气喷射死角,导致无法更加均匀的将冷气提供给节流阀控制器进行降温,存在一定的局限性。
实现思路