本技术介绍了一种创新的硅氮聚合物制备方法,该方法旨在制造用于固化形成二氧化硅薄膜的硅氮聚合物。制备过程涉及在氧气环境中解离氨气以获取氮源气体,并使用该氮源气体进行后续的聚合反应。
背景技术
CVD(化学气相沉积)指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应来沉积薄膜。传统CVD工艺中,沉积薄膜一般为氧化物、氮化物、碳化物等化合物或多晶硅,在特定领域的薄膜生长采用的外延技术广义上也算CVD的一种。CVD按照反应条件的不同,例如压强、温度、反应源等,又可分为常压CVD(APCVD)、流体CVD(FCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子增强CVD(PECVD)、次常压CVD(SACVD)、高密度等离子体CVD(HDP-CVD)、流体CVD(FCVD)、原子层沉积(ALD)等。
其中,流体化学气相沉积(FCVD,Flowable CVD)工艺,需要使用远程等离子体设备先将氨气解离成氨自由基。然而,氨自由基又容易重新组合成氨气,实践研究发现,在沉积过程中通入一些氧气可以增加沉积速率。
除此以外,在沉积过程中,由于质量流量控制器(MFC)的校准问题导致硅源气体的流量会较于正常值低很多,导致沉积工艺中的晶圆出现薄膜发白的情况。
为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种用于制备二氧化硅薄膜的硅氮聚合物的生成方法,通过在解离氨气的过程中增加氧气通入以及调整硅源气体和氮源气体的比例以改善制备二氧化硅薄膜的质量,提升FCVD工艺水平。
实现思路