本技术涉及一种光刻机操作控制技术、系统、存储介质及应用设备。该技术通过接收用户端发送的光刻任务,其中包含必要的衬底参数和工艺参数。系统将光刻任务中的衬底参数与预设参数进行对比,以优化光刻过程,确保光刻质量。
背景技术
激光直写光刻设备是微纳加工领域、电子产品制备环节中的关键设备之一,利用一束或多束聚焦激光束对光刻胶进行曝光,可在大面积上制造微纳结构。激光直写光刻设备不需要使用掩模版,可直接通过控制激光束对光刻胶进行曝光实现微纳架构的快速制造。
一方面,由于现有激光直写光刻设备本身的操作繁复,光刻过程需要经过多个操作步骤,并且需要在每个操作步骤中找到对应的参数输入框,输入相应的参数后再进行操作;需要操作人员必须按特定顺序在每个步骤中输入正确的工艺参数后点击对应的按键才能使光刻任务正常执行,否则,稍有顺序错误、工艺参数输入错误或点击错误按键都容易造成结果有问题,或者无法曝光设置可能出现设备损伤的情况。另一方面,与半导体生产企业中相对稳定的光刻工艺不同,科研型光刻工艺会涉及不同产品需求,需要用到不同的衬底、不同的光刻胶以及需要各种各样的参数,科研的实验性和科研人员的交叉性,又使得光刻工艺更加容易出现误操作。
实现思路