半导体结构的电磁干扰屏蔽封装及其制造技术
2025-02-06 14:36
No.1337069581411557376
技术概要
PDF全文
本技术涉及一种半导体结构,该结构包括:管芯/管芯堆叠体附着于衬底上,导电顶部块覆盖于管芯/管芯堆叠体的顶表面,以及多条接地线将导电顶部块导电连接至衬底。
背景技术
电子器件产生不想要的射频(RF),当射频被从器件发射时,射频可能导致对其他附近电子器件的电磁干扰(“EMI”)。从电子器件发射的不想要的EMI可能干扰输入/输出广播信号。在传统的半导体封装结构中,半导体芯片由一个或多个衬底(作为引线框架)以及各种模制化合物等封装。通常,一个或多个衬底包括复合材料,并且模制化合物包括绝缘材料,例如塑料或类似的聚合物。封装在传统半导体封装结构中的半导体芯片上的电子器件几乎不提供免于EMI发射的保护。 为了使从设置在外壳内的电子器件发射的不想要的EMI发射最小化,在特定半导体器件上需要EMI屏蔽,以便使来自半导体器件的EMI辐射最小化。还需要EMI屏蔽以防止来自外部源的EMI辐射干扰半导体器件的操作。目前,半导体器件的应用频率范围变得越来越高,这需要更高的EMI屏蔽要求。 屏蔽电子器件的常规方法包括将器件封闭在金属箱、壳体或笼中,并用金属涂层涂覆器件。令人遗憾的是,这些方法显著增加了器件的重量,增加了制造成本,并且在长期应用中可能存在腐蚀问题。因此,提供用于基本上屏蔽电子器件的方法和结构是有用的,其中该结构相对轻,能够以相对低的成本提供并结合到器件中,同时对器件几乎不增加重量,并且是耐腐蚀的。
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
陈鹏周厚德
技术所属: 长江存储科技有限责任公司.
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