本技术涉及一种三面金属封装结构及其制造方法,采用半切、电镀、全切和防氧化技术,实现三面金属包封的封装结构,有效实现内部信号的多向传输。
背景技术
随着电子产品的发展,半导体科技已广泛地应用于制造内存、中央处理器(CPU)、液晶显示装置(LCD)、发光二极管(LED)、激光二极管以及其它装置或芯片组等。由于半导体组件、微机电组件(MEMS)或光电组件等电子组件具有微小精细的电路及构造,因此为避免粉尘、酸碱物质、湿气和氧气等污染或侵蚀电子组件,进而影响其可靠度及寿命,工艺上需通过封装技术来提供上述电子组件有关电能传送(Power Distribution)、信号传送(Signal Distribution)、热量散失(Heat Dissipation),以及保护与支持(Protectionand Support)等功能。
半导体芯片在被封装形成封装结构之后,根据使用情况的不同,该封装结构还要与其它电器元件连接或组装。但是现有的封装结构散热性、封装的气密性都较差,且无法实现内部信号的多向屏蔽及单向传输,进而影响产品的性能。
因此,亟需一种新型的封装结构,克服上述封装结构的缺点。
实现思路