硅光集成芯片耦合光纤阵列的创新设计
2025-02-11 09:12
No.1338799806025572352
技术概要
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本项创新技术介绍了一种新型光纤阵列结构,专门设计用于与硅光集成芯片耦合。该结构包含波导无源芯片和光传导组件,其中波导无源芯片特别设计有V型槽以固定光传导组件。光传导组件可以是单根光纤或光纤束。
背景技术
基于硅光子技术的硅基光电集成芯片可集成多路高速调制器、高速探测器、波束分束/合束器以及波分复用/解复用等器件,可满足大容量通信,是大带宽、低功耗、低成本高速光互连的理想解决方案之一。 硅光集成芯片在很多使用场景下需要和光纤阵列进行光耦合,从而实现光信号的导入与导出,两者之间的光耦合效果对光通信系统具有明显的影响。硅光集成芯片中光波导的尺寸往往宽度和高度均在几百纳米的量级,而单模光纤的模场大小在8-10um量级,这种尺寸上的失配将导致很大的光耦合损耗。虽然可通过在硅光集成芯片上设计光模斑转换器结构的方式将光模场进行扩大,进而提高耦合效率,但扩大至8-10um量级依然存在较大难度,并且往往需要使用悬臂梁结构将模斑转换结构附近的衬底硅刻蚀掉,工艺复杂且不利于硅光集成芯片的后道工艺开发。
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
刘亚东蔡鹏飞
技术所属: NANO科技(北京)有限公司.
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