本项创新技术介绍了一种硅光芯片,该芯片具有四个依次排列的侧边:第一、第二、第三和第四侧边。在第一侧边,特别设计了两个倾斜排列的入光波导,而在第二侧边则集成了八个高性能组件。
背景技术
传统800G QSFP-DD DR8硅光模块结构如图1所示,包括:外壳以及处在外壳内的PCB板,PCB板上具有一个硅光芯片、一个DSP芯片、一个八通道光纤阵列、两个光接收端以及两个光发射端,两个光接收端沿PCB板宽度方向并排分布在硅光芯片的两侧,硅光芯片背离PCB板金手指端的侧边上具有两个入光波导以及八个出光波导,两个入光波导中其中一个入光波导的光路均分为四路后与八个出光波导中其中四个出光波导相耦合,两个入光波导中另一个入光波导的光路均分为四路后与八个出光波导中剩余四个出光波导相耦合,或理解为1拖4方案,而硅光芯片靠近PCB板金手指端的侧边上具有八组RF焊盘,两个光发射端固定在PCB板上并与两个入光波导相耦合,八通道光纤阵列固定在PCB板上并与八个出光波导相耦合;
光接收端包括:阵列PD、TIA芯片以及一个45°四通道光纤阵列,45°四通道光纤阵列固定在PCB板上,阵列PD与45°四通道光纤阵列相耦合并固定在PCB板上,TIA芯片与阵列PD金丝键合,TIA芯片与PCB板电连接;
光发射端包括:沿光路方向依次耦合的激光器芯片、准直透镜、光隔离器以及汇聚透镜,激光器芯片经陶瓷热沉固定在PCB板上,准直透镜、光隔离器以及汇聚透镜分别固定在PCB板上;
外壳宽度为18.35mm,光接收端中阵列PD通道间距为0.5mm(属于比较小间距),PCB板宽度仅14.1mm左右,为保证光发射端中激光器芯片耦合和八通道光纤阵列耦合空间,所以硅光芯片长度比较长,最终导致PCB板宽度方向布局空间紧张。
实现思路