本技术涉及一种用于光刻曝光的补偿模型构建方法、仿真方法、相关装置及设备。该方法包括基于芯片图案样本确定测试掩膜图案的透射参数,并采集测试数据以优化光刻过程。
背景技术
计算光刻是采用计算机模拟、仿真光刻工艺的光化学反应和物理过程,实现对光刻曝光图像的仿真,利用仿真曝光图像辅助芯片设计、分析、预测及修正,以提升芯片研制周期和加工良率。在实际光刻曝光过程中,高端芯片图案节点/尺寸远小于曝光光线的波长,进而会在光掩模图案边缘产生绕射效应;由此在计算光刻中就需要对曝光过程中的边缘绕射效应进行相应地补偿,从而保证对曝光过程模拟仿真的准确性,避免仿真曝光图像失真。
通过在掩膜图案边缘添加拟合函数或查找表的方式进行频谱补偿是实现计算光刻补偿的有效技术手段之一;但随着高端芯片关键尺寸的减小和复杂程度的提升,掩模板上不同图案间的耦合信息对曝光图像的影响逐渐增大,耦合效应的高次效应不可忽略,由此在对确定计算光刻过程中的补偿信号时,基于物理偏微分方程的数值模拟过程存在难以收敛的问题,拟合函数存在不易构造的问题,而查找表则存在难以创建的问题;由此如何计算光刻过程中的补偿信号,是业内急需解决的重要问题之一。
实现思路