本技术涉及一种创新的掩膜制造技术,包括一套方法、装置、存储介质和电子设备。该技术通过精确确定初始版图的关键测量点,并收集这些点的蚀刻偏差值与初始特征数据,进而实现掩膜制造过程的优化。
背景技术
在半导体制造中,掩膜制造是实现微细电路图形的关键步骤。掩膜作为光刻工艺的核心组件,其质量直接影响到最终产品的性能和良率。
随着集成电路的不断缩小和功能集成度的提高,掩膜制造过程中出现的蚀刻偏差问题变得愈发突出。这些偏差不仅可能导致电路图形失真,还可能引起电气性能的下降,从而影响整个芯片的可靠性。
实现思路