本技术方案披露了一种新型闪存及其制造工艺。该闪存由多个单元、位线单元和字线构成,每个单元包含第一和第二源漏区及控制栅。字线与闪存单元行对应,实现高效数据存储。
背景技术
快闪存储器(flash memory,简称闪存)是一种电子式可清除程序化只读存储器,允许在操作中被多次擦或写。主要用于一般性数据存储,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存包括NOR Flash,NOR Flash具有灵活性强,随机读写性能快等优点。NOR Flash中每个存储单元都可以被独立访问,即每个存储单元都可以通过字线和位线被唯一选中。
然而,NOR Flash中每个存储单元都通过通孔与位线相连,导致相同工艺节点下NOR Flash的面积较大,很难往更先进微型的工艺节点演进。
实现思路