本技术涉及一种利用原子层沉积(ALD)技术制备高质量SnO2非晶纳米柱异质相的方法,及其在钙钛矿太阳能电池技术中的应用。该方法包括多个步骤,旨在提高太阳能电池的性能和稳定性。
背景技术
钙钛矿太阳能电池广泛使用平面结构的SnO2
多晶、纳米晶,但基于平面结构电子传输层的钙钛矿电池,存在不能同时实现高效太阳光吸收和高效光生载流子传输的问题。一维(1D)金属氧化物(如TiO2,ZnO和SnO2
等)纳米柱结构作为电子传输的直接通道,可提高钙钛矿/传输层之间的载流子传输。此外,一维纳米柱结构相较于介孔结构更有利于钙钛矿的充分填充,可形成良好的异质结界面。
但目前SnO2
电子传输层通常采用溶液法制备。这种方法不仅制备过程繁琐、稳定性差、形貌难以控制,而且采用化学试剂污染大、成本高。有部分研究使用四乙基锡和H2
O2
通过ALD沉积SnO2
薄膜,但生长的SnO2
薄膜缺陷多,且为非晶态,不利于载流子传输,存在较为明显的缺陷。
实现思路