本申请公开了一种相移掩膜板、制备方法及膜层开孔方法,该相移掩膜板包括:透明基板,透明基板上的透光区外围有遮光区及相移区;遮光区的第一遮光区在透明基板上的正投影环绕透光区;相移区在透明基板上的正投影环绕第一遮光区;第二遮光区在透明基板上的正投影环绕相移区。本申请实施例通过在透光区外围形成两个遮光区和一个相移区,使得在膜层上开孔时,由于透光区外围设置的相移区及相移区外围的第二遮光区,利用相移区实现通过光线的相位调制,抵消曝光机的衍射,提高开孔的均匀性的同时,也能够利用相移区的外围设置的第二遮光区对透光区对应的开孔之外区域的光刻胶实现保护,避免光刻胶的损失,确保后续工艺的顺利进行,提升工艺良率。
背景技术
显示技术领域的曝孔工艺中,通过利用相移掩膜板(Phase Shift Mask,PSM)的相位偏移,改善曝光均匀性,最终提升工艺良率。但是,相移掩膜板与常规掩膜板相比,在形成相同大小的孔时,需要更多的曝光剂量,从而影响工厂产能。
为了改善曝光剂量增加的问题,相关技术中改进的铬边缘相移掩膜板(Cr-rimPSM),在改善曝光均匀性的同时,来避免透光区曝光能量的浪费。
对于改进的Cr-rim PSM,会在透光区之外的区域造成光刻胶损失(PR Loss),影响后续的工艺流程。
实现思路