本技术提供一种用于负性光刻胶的MIL‑101‑丙烯酸酯复合物的制备方法,主要包括以下步骤。该复合物通过如下方法制备:在氮气环境中,将MIL‑101、聚甲基苯基硅氧烷、丙烯酸羟乙酯与二丙二醇甲醚醋酸酯共混后加热处理,成功制备出MIL‑101‑丙烯酸酯复合物。本发明制备的MIL‑101‑丙烯酸酯复合物作为负性光刻胶改性组分,提升了传统光刻胶树脂的分辨率和整体光刻性能。该方法为负性光刻胶的树脂改性组分的设计提供了新的思路。
背景技术
光刻胶根据显影过程中曝光区域的处理方式,可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种类型。在紫外线照射下,正性光刻胶能够将图案转移到光刻胶层上。曝光部分会分解,可以被显影液溶解,而未曝光部分则不溶,因此得以保留。这种光刻胶的优点在于分辨率较高,且不会发生膨胀。相比之下,负性光刻胶在紫外线照射后,其曝光区域会发生交联,变得不溶于显影液,而非曝光部分则可以被溶解。这种光刻胶具有较好的耐热性,适用于高功率和特殊器件的制造,通常用于芯片的最终封装阶段,以提供绝缘和保护。然而,负性光刻胶较难去除,且由于其树脂的分子量分布不均,导致其均一性和稳定性较差,分辨率也较低。
为了提高负性光刻胶的性能,一些技术采用了单分子固体环氧树脂或小分子树脂,以增强光固化的灵敏度和显影速度。但是,这些树脂的加工成本较高,且难以配制成高粘度液体,这可能导致光刻胶的剥离和缺失,影响芯片的整体质量。在过往的研究中,光刻胶的制备需要对树脂进行改性,但改性过程中的聚合反应难以控制,可能会产生副产品和高分子链缠绕问题,此外,改性后的环氧树脂在光照下容易交联,导致光刻胶失活,增加了储存难度。在光敏反应条件下,交联度的均匀性也难以保证,可能会导致边缘整齐度降低和残次率增加。最后,由于负性光刻胶需要多次曝光,对黏附性的要求较高,而改性的小分子树脂可能无法满足这一需求。因此,设计一种具有边缘整齐,分辨率高,具有有一定的自我修复特性的光刻胶尤为重要。
实现思路