本申请提供一种存储器以及存储器的操作方法,所述操作方法包括:对存储阵列中的标定存储单元,以第一电流进行重置操作;以及对所述存储阵列中与所述标定存储单元相邻的至少一个相邻存储单元,以第二电流进行弱重置操作,所述第二电流小于所述第一电流。所述操作方法与存储器并可以依据弱重置操作需求来进行弱重置操作。通过前面所述的弱重置操作方法以及存储器,除了可以减缓重置操作时对相邻存储单元的热干扰之外,并可以依据需要进行弱重置操作,而能在取得防热干扰效果之外进一步提升存储器的操作效率。
背景技术
存储器是信息技术的基础,作为下一代的非易失半导体存储器的候选者,相变存储器(Phase Change Random Access Memory,PCM)由于高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点,得到广泛的关注,尤其是3D PCM。
然而,写入干扰一直是3D PCM存在的主要问题,尤其在对目标存储单元进行写入0的重置操作的写入操作时,由于熔点温度高,常会对相邻存储单元造成热干扰,而存在着所存数据造成错乱的问题。虽然目前业界有从多方面针对这问题进行补救,但还是未能获得良好解决。
实现思路