本实用新型提供了无掩模曝光系统,在无掩模曝光系统中,扩束器对紫外激光光源发出的光束进行扩束处理,形成光强均匀分布的曝光场;起偏器对曝光场进行处理,形成线偏振光;线偏振光经液晶空间光调制器进行调制处理,形成均分分布的平行光;数字微透镜阵列对平行光的相位和振幅进行处理,以使处理后的平行光在晶圆工件台的晶圆表面形成待曝光图形;控制单元控制晶圆工件台运动,以对晶圆进行曝光。上述曝光方式,无需掩模版即可将数字化的待曝光图形直接传递到晶圆表面的光刻胶上,并可以通过晶圆工件台的运动实现无限大曝光区域,提高了曝光效率和曝光精度,且采用数字微透镜单元替代传统的整形光路,简化了系统结构。
背景技术
光刻技术是半导体加工制造技术领域中不可或缺的关键技术之一,而曝光是光刻技术中的关键步骤。以往的光刻方法需要使用掩模对光进行遮蔽,从而将相应的图案投射到光刻胶层,形成所需的图形。这种方法需要制备掩模,且成本较高,同时由于掩模材料的机械性能、制造工艺等因素,掩模的使用寿命难以预测,以及掩模的尺寸也存在一定的限制。此外,在微纳加工和多层制备中,掩模的对准误差和对齐精度也会对器件性能造成负面的影响。近年来,随着对半导体制造产品的要求越来越高,对曝光的发展要求也越来越高。随着数字微纳加工制造等技术的发展,无掩模光刻逐渐成为研究的热点之一。
其中,无掩模光刻是一种将数字化的光学图案信息通过某种方式,直接传递到光刻胶层的方法,这种光刻方式避免了使用掩模这一繁琐的工艺步骤,大大提高了加工工艺的效率和精度。但是,现有的无掩模光刻方法如:激光直写光刻法、反射式无掩模光刻法等,都存在一定的问题,如加工效率低、精度不高和设备成本高等,不能满足实际应用需求。
实现思路