本技术属于半导体加工技术领域,具体公开了一种减薄晶圆的加工辅助装置,包括基体和至少一个限位片,所述限位片与所述基体的端部连接,所述限位片上开设有安装孔,所述安装孔用于安装放置晶圆,所述晶圆与所述基体的一端可拆卸连接,所述限位片与所述基体端部的高度差小于待加工的晶圆与所述基体端部的高度差。本发明能够保证晶圆减薄质量的同时减少晶圆碎片或弯曲的现象。
背景技术
随着半导体技术的快速进步,晶圆减薄工艺在现代电子器件的制造中变得越来越重要。晶圆减薄不仅可以减轻产品的重量,降低材料成本,还能够提高器件的性能和集成度。因此,优化晶圆减薄工艺成为当前半导体行业的迫切需求。
目前,晶圆减薄技术主要包括机械磨削、化学机械抛光(CMP)、激光减薄等方法。这些传统工艺在实施过程中面临着一系列挑战。例如,在机械磨削过程中,晶圆的表面易受到划伤和磨损,特别是在晶圆背面与基体接触的区域,若清理不彻底,将导致胶体、颗粒等污染物对晶圆的影响。这种污染不仅会导致后续加工中出现缺陷,还可能对成品率产生不利影响。
另外,在传统粘接材料的工艺中,薄片型零件的装夹方式主要通过石蜡或者真空吸附,但具有一定的局限性,采用石蜡粘结的方式需要进行升温及降温的操作,对工件表面应力产生影响,且难以保证石蜡涂覆的均匀性,无法保证最终加工表面的平行度,进而增加了产品损失的风险。
目前,在对晶圆进行减薄加工的过程中,通常采用游星轮固定晶圆,并通过齿轮带动晶圆转动,实现抛光打磨,但是现有的这种方式多为固定抛光高度,无法适应不同厚度晶圆的加工需求,限制了加工灵活性,并且这种方式对晶圆的固定效果较差,导致在对晶圆进行减薄加工过程中,容易出现碎掉的风险。
另外,在处理不同规格的晶圆时,生产线的调整和切换过程繁琐且耗时,这降低了生产的整体效率和灵活性。同时,传统清洗设备在去除微小污染物方面效果不佳,可能导致晶圆表面残留物的堆积,从而影响后续加工步骤。
研抛压力是影响材料去除率的重要因素之一,因此在晶圆减薄过程中晶圆是否能承受更大的研抛压力是晶圆是否会碎片或变形的决定性因素。因此,晶圆的研抛压力的上限可以提高晶圆减薄的效率。但是随着研抛压力的上升晶圆碎片或变形的风险就会增加,进而导致成品率的降低。
当前的晶圆减薄工艺仍面临着诸多挑战,包括污染控制、粘接工艺、加工效率、加工灵活性、压力上限、超薄晶圆成品率低等方面的问题。因此,迫切需要寻求新的解决方案,以提升晶圆减薄加工的效率、质量和经济性。
实现思路