本技术公开了一种用于碳化硅晶圆减薄砂轮的球形复合堆积磨料的制备方法,包括:按照第一配比获取多种干料原材料,并对多种干料原材料进行均匀混合,得到混合干料,多种干料原材料包括金刚石磨料、白刚玉磨料、陶瓷结合剂;按照第二配比,将混合干料与分散剂、增稠剂及纯净水进行均匀混合,得到浆料;对浆料进行离心喷雾造粒,并进行干燥,得到复合堆积磨料生坯;对复合堆积磨料生坯进行烧结,得到球形复合堆积磨料。根据本发明制备的球形复合堆积磨料,球形度更好,抗压强度和抗冲击强度更高,进而能够提高磨料自锐性及其对碳化硅晶圆的磨削力。基于该球形复合堆积磨料制备的碳化硅晶圆减薄砂轮,能够延长使用寿命,提高加工效率和晶圆表面质量。
背景技术
随着信息产业的快速发展,半导体材料也进行了更新换代。以碳化硅为代表的第三代半导体材料,因其具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力,成为高温、高频、抗辐射及大功率器件的主流选择。
在半导体碳化硅基芯片制程中,晶圆自旋转式磨削减薄工艺是半导体制造中的关键步骤之一,通过快速减薄晶圆,能够降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能,以及降低划片的加工量。陶瓷结合剂金刚石砂轮作为碳化硅晶圆减薄的磨削工具,是通过对磨料、结合剂和辅材经过混料、成型、烧结等工艺制成,这种砂轮的加工效率不高,且使用寿命较短。针对碳化硅的材料特性,在使用砂轮对碳化硅晶圆减薄加工过程中,为获得晶圆高表面质量,同时提高砂轮加工效率,延长砂轮使用寿命,需要砂轮的磨料具备球形度好、切削力大、自锐性好等特性,然而,现有的用于碳化硅晶圆减薄砂轮的磨料无法实现上述特性。
为此,需要提供一种用于碳化硅晶圆减薄砂轮的球形复合堆积磨料的制备方法,以解决上述技术问题。
实现思路