本技术公开了一种可光刻发光共轭聚合物、制备方法及应用,属于聚合物半导体材料领域。所述聚合物的结构式如式I所示:式中,Ar选自芳环、杂芳环、含有长烷基链取代基的芳环或杂芳环;R<subgt;1</subgt;选自C1‑C50中含亚甲基的烷基链中的一种;聚合物的数均分子量为10000‑100000。本发明的聚合物兼具优异的光电性能和光刻胶性质,可直接通过紫外光刻工艺实现发光聚合物薄膜的光刻图案化。
背景技术
印刷显示技术由于在中大尺寸面板制造和成本方面的优势,成为近年来有机电致发光(OLED)领域关注的热点。其中,发光高分子(Light-emitting ConjugatedPolymers)以其优异的光电性能和溶液成膜特性,以及高分子所特有的力学性能,在柔性和印刷显示领域具有巨大应用潜力。然而,如何将发光高分子薄膜加工成高精度、微米级像素阵列,是实现发光高分子在印刷显示产业应用的关键。光刻(Photolithography)是集成电路和半导体制造领域的核心环节,但传统光刻工艺需要用光刻胶,经过曝光、显影、刻蚀、清洗等至少六步才能制备一层图案,工艺复杂,并不适用于有机光电器件多层有机结构的构筑。因此,开发可直接进行高效光刻图案化的发光高分子材料,是溶液法印刷制备高分辨像素级显示阵列的重要途径。
实现思路