本申请公开了一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路,涉及存储器读写电路技术领域,该读写电路包括:均与基于OTS的多值动态存储单元连接的写控制模块和读控制模块;写控制模块在写控制信号的控制下,根据参考电压和多个输入信号生成不同值的写操作电压,并作用于存储单元电容的两端,实现了多值动态存储单元的写入操作;读控制模块在读控制信号的作用下,读出存储单元的四种存储状态,并以四位编码的形式输出。本申请可以通过调节各输入信号的数值,产生不同值的写操作电压,用作多值动态存储单元不同状态的写入电压,另外通过读控制模块可以分别读出存储单元的不同存储状态,并以四位编码的形式输出读出的数据。
背景技术
基于OTS(Ovonic Thresholdswitch,双向阈值开关)的动态存储单元由选通管和电容串联在一起构成,是一个双端口器件,相比于传统的dram存储器,具有存储密度高且易于三维集成的优势。其可以通过调节施加在存储单元两端的操作电压使存储单元两端表现出四种电压状态,因此其可以实现两值四态的多值存储,在不改变器件结构的前提下,提升了单个器件的数据存储能力。相较于传统的存储单元,多值动态存储单元中可以存储多bit信息,而其中存储的信息需要通过外围电路进行读写操作才能读出及写入,这对多值存储单元的外围读写电路提出能够实现对每个状态进行读写的要求,而现有技术中针对单值存储单元的外围读写电路并不适用于多值动态存储电路的读写。因此,如何搭建适用于多值动态存储电路的外围读写电路,以实现对每个状态的读出和写入是目前亟需解决的问题。
实现思路