本技术涉及投影光学技术领域,尤其是一种极紫外光刻投影曝光光学系统及方法,本发明提供的紫外光刻投影曝光光学系统包括光场均匀性调整模块,光场均匀性调整模块分别与光束生成模块以及光束整形模块信号连接;光场均匀性调整模块用于获取光束整形模块输出的极紫外光束光强分布数据;还用于根据光强分布数据,调整光束生成模块的输出功率,使得功率调整后光束整形模块输出的极紫外光束光强分布数据中最低光强不低于目标光强;还用于根据功率调整后光束整形模块输出的极紫外光束光强分布数据,调整极紫外光束整形模块中渐变衰减片的透光率,使得透过率调整后光束整形模块输出的极紫外光束光强分布数据中任两位置的光强差不超过差值限定范围。
背景技术
在极紫外光刻(EUVL)过程中,光场的均匀性是实现高精度芯片制造的核心要求之一。EUV光刻的光源波长极短(约13.5纳米),这使其能够达到7纳米及以下工艺节点的图案分辨率。然而,EUV光在空气中传播时极易衰减,对环境因素(如温度变化、振动、气压波动等)也极为敏感,导致光场在实际应用中不够均匀,这会对光刻图案的精度产生显著影响。
在实际制造中,光场均匀性不足不仅会影响芯片的制造良率,还会增加废片率和返工成本。由于芯片在纳米级制造中对光场的高均匀性要求,传统EUVL系统的光源输出难以进行实时调整,光场分布的动态优化能力较弱。这种局限性导致在实际投影过程中难以应对光场的实时波动,影响了图案的曝光精度和清晰度,最终导致成品率下降和制造成本增加。
实现思路