本技术提供光刻设备操作控制方法、装置、存储介质及设备，包括:获取用户端发送的光刻任务，所述光刻任务包括需操作的衬底参数和工艺参数；将所述光刻任务中衬底参数与预设的衬底参数阈值比较、所述光刻任务中工艺参数与预设的工艺参数阈值比较；若所述衬底参数满足衬底参数阈值、并且工艺参数满足工艺参数阈值，向光刻设备发送设备内实时状态参数获取指令；获取光刻设备发送的设备内实时状态参数；若所述设备内实时状态参数与光刻任务的需操作的衬底参数相匹配，根据所述光刻任务生成若干条光刻设备操作指令，并将所述光刻设备操作指令按设定顺序发送至光刻设备，使所述光刻设备根据所述光刻设备操作指令对设备内衬底进行第一阶段加工。

 本技术公开了一种基于铂修饰的钕铁镁氧化物的二氧化碳气敏材料及其制备方法和应用，涉及二氧化碳气体检测技术领域。所述基于铂修饰的钕铁镁氧化物的二氧化碳气敏材料的化学式为Xwt% Pt‑NdFe1‑yMgyO3，式中，0<x≤10，0<y≤0.5。在NdFeO3材料的基础上，采用Mg元素进行掺杂的同时采用Pt元素进行表面修饰，得到基于铂修饰的钕铁镁氧化物的二氧化碳气敏材料。通过Mg和Pt元素的复合掺杂改性，降低了基于铂修饰的钕铁镁氧化物的二氧化碳气敏材料在检测二氧化碳气体时的工作温度。具体的，在160℃的工作温度下，其对10000ppm的二氧化碳气体的响应为6.24。

用于生产包括2,5‑呋喃二甲酸的羧酸组合物的工艺包括步骤:a)在氧化反应器中，在具有2‑6个碳原子的饱和有机酸溶剂以及包括钴、锰和溴的催化剂体系下，使用氧化气体在160‑210℃范围的温度氧化包括5‑烷氧基甲基糠醛的可氧化化合物，获得含2,5‑呋喃二甲酸的单烷基酯和固体2,5‑呋喃二甲酸的粗羧酸组合物，b)在固液分离区中从粗羧酸组合物中分离至少一部分固体2,5‑呋喃二甲酸，生成固体滤饼和母液，c)确定滤饼中锰和/或钴量，和d)如果滤饼中锰和/或钴测定量超过预定阈值，则增加氧化反应器中一种或多种控制酸的量，其中控制酸选自由氢溴酸和具有2‑5个碳原子且pKa小于3.2的单羧酸或二羧酸组成的组中，相对于母液的重量，母液包括0.5wt％至7wt％范围的2,5‑呋喃二甲酸的单烷基酯。

公开了有机电致发光材料及其器件。该有机电致发光材料是具有式1结构的化合物，这些新型化合物可应用于电致发光器件中能够能提供更好的器件性能，例如器件寿命的提升。还公开了一种包含该化合物的有机电致发光器件及包含该化合物的化合物组合物。

 本技术公开一种制备镓酸镧基氧离子导体电解质的方法，属于固体氧化物燃料电池技术领域；一种制备镓酸镧基氧离子导体电解质的方法包括:将La2O3、SrCO3、Ga2O3、MgO原料粉末与有机溶剂混匀后研磨，后经煅烧、研磨得到镓酸镧基粉体；将镓酸镧基粉体、分散剂和溶剂混合后研磨，之后加入塑性剂与粘结剂继续研磨得到浆料；将浆料经真空脱泡并过滤；之后进行流延成型处理，得到流延膜；将流延膜经干燥从膜带上剥离，按打孔器裁成素坯，经过排胶、高温烧结后，得到镓酸镧基氧离子导体电解质。

 本技术公开了一种兼具高效分离与催化功能的陶瓷膜的制备方法及其制得的产品和应用，以大粒径陶瓷颗粒为原料制备陶瓷膜支撑体，以过渡金属氧化物纳米纤维为原料采用浸浆法制备过渡层，以小粒径陶瓷颗粒为原料采用浸涂法制备分离膜层，通过一步共烧后形成具有三明治结构的陶瓷膜。本发明采用过渡金属氧化物纳米纤维形成具有较高孔隙率和比表面积的过渡层，提高了催化活性位点数量和渗透通量；采用小粒径陶瓷颗粒形成具有均匀孔径分布和平整膜表面的分离膜层，提高了水中颗粒物与有机物的分离效率并降低其在膜面的累积，同时避免水中颗粒物与有机物对催化陶瓷膜活性位点的覆盖，从而实现了陶瓷膜分离效率与催化降解效率的同步提高。

 本技术公开了一种用于海水提铀的小粒径水铝英石‑偕胺肟化聚丙烯腈复合材料及其制备方法，利用过硫酸根离子处理纳米矿物水铝英石的表面羟基，成功在水铝英石表面接枝了短链聚丙烯腈，并在完成偕胺肟化转变后获得该复合材料，水铝英石有效调控了复合材料的粒径，使偕胺肟基团能够得到充分暴露，赋予该复合材料对铀酰离子优异的吸附性能；其次水铝英石与偕胺肟化聚丙烯腈之间存在的协同作用使其复合材料在溶液中具有优异的悬浮性，并在脱附重生过程中保持出色的结构稳定性，和对铀的高吸附容量；该复合材料还具有制备工艺简单、生产成本低等优点，在海水提铀中具有巨大的应用潜力。

本文章提供一种新型防静电遮光胶带，涉及遮光胶带技术领域，包括圆环块，所述圆环块的外壁缠绕有胶带本体，所述胶带本体上设置有防护机构，所述防护机构包括壳体，所述壳体的一侧粘接连接有密封环，所述壳体的一侧设置有壳盖。本实用新型中通过设置防护机构，可以让防静电遮光胶带在使用时，具备对胶带基材进行防护的功能，即防静电遮光胶带在与其他物品一起被携带时，避免胶带基材容易出现与其他物品接触，发生摩擦损伤或划伤，从而影响其后续正常使用的情况，既提高了防静电遮光胶带的使用效果，同时也提高了防静电遮光胶带的使用效率。

本技术属于芯片制造领域，提出了可降低掩膜复杂度的光学临近修正掩膜优化方法。该方法提出了一种用于光学临近修正的可以对抗偏差的新型损失函数。在考虑了打印误差和工艺偏差环的影响之外，引入一项代表掩膜与目标图像的偏差来规范掩膜的几何特征，通过对解空间添加限制，在掩膜的图像生成质量和复杂度之间取得更好地平衡；对工艺偏差建模优化，产生的掩膜版能更有效对抗工艺偏差。优化芯片制造掩膜版，使得光刻之后的图案有较高的保真度。

本文章涉及胶带生产技术领域，公开了一种易撕型胶膜，包括:基材层,基材层的底部固定连接有胶黏层，胶黏层的底部与物品紧密粘连；易撕结构，易撕结构设置在基材层的顶部，易撕结构包括易撕层和用于指部增加摩擦力的多组防滑条,防滑条设置在易撕层上，易撕层的两侧还设置有用于进一步增大摩擦力的摩擦部，易撕层的底部与基材层的顶部通过胶水进行粘黏固定；定位槽,定位槽为两组，两组定位槽分别开设在胶黏层的底部两侧壁面上,摩擦部包括易撕条,易撕条的内部设置有防滑孔，易撕条与易撕层通过胶水粘黏在一起，增大胶膜表面和指面接触的摩擦力，优化胶膜的使用效果，便于使用者对胶膜进行撕拉使用，提高装置使用的便利性。